DTV 发射机75W 射频功放模块的设计与实现

2009-04-23 18:10:33来源:ECCN 作者:王超 陈晓光热度:

1 引言
近年来,射频电路在数字电视中得到广泛应用,作为数字电视发射机中十分重要的大功率功
放模块,如何做到功率、增益与线性度的最优化是当前的重要课题。由于功放管特性曲线的
非线性,在大信号情况下工作的功放会产生非线性失真,功放管输出功率越大,非线性失真
也越严重。功放管的热稳定性和过压保护,也是设计功率放大器的特殊要求。按照系统指标
要求,设计实现了一种可用于数字电视发射机的75 W 大功率的功放模块。其系统的工作频
段为170~230 MHz,功放管的静态工作点为Vds=28~32 V,Vgs=3.7~4.1 V,带内增益20
dB 以上,线性功率最大输出为75 W,回波损耗15 dB。
2 原理及设计方案
功放模块在功能上可以分为射频放大电路和直流馈电电路。射频放大电路进行射频信号功率
放大,它是功放的主体部分,决定了功放的主要性能指标,如增益、输出功率、功率平坦度、
线性度等。直流馈电电路为功放管提供可调的电压偏置,有合理的保护措施来防止功放管的
损坏,提供温度补偿并采用负反馈技术以提高线性度。
2.1 射频放大电路
图1 为射频功放模块放大部分的电路原理框图,采用平衡放大器的结构,射频信号首先进入
3 dB 耦合器,将射频信号一分为二,并将其中一路引入90°的相移,分别进行功率放大,然
后再由输出耦合器引入90°附加相移使两路信号恢复同相,将输出功率合成。另外,3 dB 耦
合器的另一端接50 Ω 的负载。
功放管选择的是Freescale 公司的MRF9060,它采用横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)
技术的N 沟道增强型场效应管。LDMOS 管用高集成无源和有源区域来代替传统的大功率射
频芯片分立的有源区,比较容易组成内部输入输出匹配网络,金属化栅极可以减少串联电阻、
增加功率增益。MRF9060 采用共源的工作模式,具有良好的散热特性。栅、漏极之间屏蔽
层降低了反馈电容,较长的栅极长度可满足较大范围的动态增益和线性要求,具有良好的抗
失配能力(SWR<10)。MRF9060 一般工作于AB 类状态,其增益与栅源电压Vgs 成正比。
MRF9060 工作参数如下:在945 MHz 双频信号输入下,最大输出功率为60 W,功率增益
为17 dB,效率为40%,三阶交调IMD 为-31 dBc。虽然MRF9060 可以在工作频带内达到
60 W 的功率输出,但为了保证功放的线性度、温度稳定性、使用可靠性,延长器件寿命,
其功率一般保持在最大功率的1/3~1/2。
输入输出匹配网络是在源和负载之间插入一个无源网络,使得两者间的阻抗共轭相等,反射
最小,从而形成最大功率传输。随着频率增高分立元件的寄生效应会非常明显,而电感相对
于电容有更高的电阻性损耗,所以在设计中采用了几段微带传输线间隔配置并联电容的复合
型匹配网络。具体设计流程如下:首先在Smith 圆图上确定源阻抗和匹配阻抗的位置,通过
串联传输线和并联电容来进行两者间的阻抗转换。需要注意的是,稍稍改变电容的位置,就
会在很大程度上影响到最终的阻抗值,因此在定位时需要仿真结合实测来精确定位。根据微
波电路理论,两段传输线的总长不变,通过改变并联电容在两者之间的位置就可以获得很大
的阻抗匹配范围。在设计匹配网络时还要考虑有载品质因数QL,表示为
式中;f0 为中频频率;BW 为带宽。由公式(1)可知,带宽指标决定了系统的QL,而QL 又
由Smith 圆图上各节点的最大品质因数Qn 来决定,因此必须以适当增加电路元件的数量为
代价来调整系统带宽的自由度,以便寻找一种满足带宽指标的阻抗匹配网络电路形式。
2.2 直流馈电电路
直流馈电电路主要由稳压电路、四路分压网络、两路减法器、过压保护电路和负反馈电路组
成,其原理框图如图2。首先30 V 直流电压源进入稳压电路,稳压芯片采用L78M15,输出
15 V 的直流稳压,分别

责任编辑:xiaolin

为您推荐

鼎芯发布TD射频终端芯片 支持HSDPA明年商用

新浪科技讯10月30日消息,上海鼎芯半导体宣布推出“全球首颗CMOS单芯片TD-SCDMA射频芯片”,产品已经能够能支持展讯、凯明、T3G和重邮等所有国内基带厂商接口。此前在TD-SCDMA射频终端芯片方面除了个别国外厂商外,还没有国内企业可以提供商业化样片。即使是国外公司,其采用的设计架构也不能代表世界最先进水平,在良品率和成本表现方面差强人意。TD-SCDMA的短板在于手机终端,终端的短板在于芯片,射频芯片与基带芯片是无线通信终端的两大核心技术。基带芯片相当于电脑中的CPU;而射频芯片的功能是将无线电波转化为数字信号。“首颗”之争在上周,上海锐迪科微电子也宣布其“全球首颗CMOS单芯片TD

移动电视射频设计面临的挑战

随着数字移动电视不断向移动设备的应用转移,应用和系统工程师正面临着各种挑战,比如外形尺寸的小型化、更低的功耗以及信号完整性。对现有移动电视标准的研究重点将放在了DVB-H上。本文将从系统角度讨论DVB-H接收器设计所面临的机遇和挑战,并重点介绍射频前端。移动电视标准在不保证完整的前提下,表1列出了现有和即将制定的移动电视标准和系统(不包括MBMS和BCMCS等蜂窝方面的标准)。DVB-H建立在DVB-T基础上,并保持后向兼容,允许在已有DVB-T信道上发送DVB-H信号。最大的改变是增加了4kFFT模式、用于2k和4kOFDM的深度交织、用于多协议封装数据的另一个前向纠错层(MPE-FEC)以

TD射频芯片厂商面临资本饥渴

在TD产业链中,射频芯片仍然是薄弱环节事实上,TD射频芯片厂商对投资期待已久,鼎芯和广晟微电子目前仍未有新的融资到位,但射频芯片总研发投入已经超过亿元人民币级别,仍需要更多的投资支持久未逢资本青睐的TD芯片产业近日连下“甘霖”。基带芯片商展讯(Nasdaq:SPRD)上市融资1亿多美元后,射频芯片商锐迪科近日也完成1000万美元的新融资。但这些“雨水”还不够用。手机终端中最重要的核心就是射频芯片和基带芯片。射频芯片负责射频收发、频率合成、功率放大;基带芯片负责信号处理和协议处理。在TD-SCDMA终端发展中,处于产业链上游位置终端芯片

移动电视射频设计面临的挑战

随着数字移动电视不断向移动设备的应用转移,应用和系统工程师正面临着各种挑战,比如外形尺寸的小型化、更低的功耗以及信号完整性。对现有移动电视标准的研究重点将放在了DVB-H上。本文将从系统角度讨论DVB-H接收器设计所面临的机遇和挑战,并重点介绍射频前端。移动电视标准在不保证完整的前提下,表1列出了现有和即将制定的移动电视标准和系统(不包括MBMS和BCMCS等蜂窝方面的标准)。DVB-H建立在DVB-T基础上,并保持后向兼容,允许在已有DVB-T信道上发送DVB-H信号。最大的改变是增加了4kFFT模式、用于2k和4kOFDM的深度交织、用于多协议封装数据的另一个前向纠错层(MPE-FEC)以